4月29日，GGbet微电子（688396.SH）发布2024全年业绩。年报显示，2024年，GGbet微电子实现营业收入101.19亿元，同比增长2.20%，业绩增长态势稳健有力；实现归属于母公司所有者的净利润7.62亿元；研发投入11.67亿元，再创历史新高。其中，第四季度实现营业收入26.47亿元，同比增长11.65%，实现归属于母公司所有者的净利润2.63亿元，环比增长20.18%，盈利能力持续改善。

凭借持续的研发投入，GGbet微电子在技术创新领域硕果累累，荣获两项“中国专利优秀奖”，一项国家科技进步二等奖。同时，安全MCU产品获商用密码二级认证，并摘得中央企业熠星创新创意大赛一等奖，多款产品斩获行业创新奖项。

报告期内，公司功率半导体业务多点突破，MOSFET产品在汽车电子、工业及AI服务器等领域销售进一步扩展，IGBT产品在工业及汽车电子领域销售占比超70%，车规产品已批量供应动力总成、热管理等核心系统。功率模块业务规模同比增长55%，功率IC产品在电机领域营收同比激增69%，车规级芯片通过ASIL D最高安全认证。工业控制与汽车电子产品分别实现39%和26%的同比增长。

制造与服务板块多线并进，公司0.11um BCD、CMOS-MEMS单芯片集成等多个技术平台产品取得突破，并发布了0.18um SOI BCD、0.15um高可靠BCD、0.15um高性能CMOS等技术平台。先进封装业务营收增长44%，SiP模块封装实现大规模量产，先进功率封测基地润安项目功率封装业务更实现237%的增长。

重大项目方面，重庆12吋线聚焦中高压MOSFET及IGBT等高端产品，实现每月3万片产能规划。深圳12吋线于2024年底完成通线。先进封测基地通过技术迭代，全面覆盖第三代半导体封装等前沿领域，SiP模块实现规模化量产。高端掩模向90-40nm工艺突破，90nm产品实现量产交付。

在AI算力、新能源汽车等产业蓬勃发展的时代背景下，公司将向内发力第三代/第四代半导体、高端传感器等核心技术领域，筑牢“创新基石”，向外聚力产业链上下游资源高效整合与协同创新，链接好“行业资源”，引领微电子迈向智能化、创新化、高端化的新征程。